王占國
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王占國，1938年12月生，河南鎮(zhèn)平縣人，著名半導體材料物理學家。1962年畢業(yè)于南開大學物理系，同年到中科院半導體所工作。1980-1983年瑞典隆德大學訪問學者;1986年任半導體所研究員，材料室主任;1990年被批準為博士生導師;1990-1994任半導體所副所長;1991-2001年，先后曾任國家高技術(shù)新材料領(lǐng)域?qū)＜椅瘑T會委員、常委、功能材料專家組組長，國家S-863計劃綱要建議軟課題研究新材料技術(shù)領(lǐng)域?qū)＜医M組長;從1990年起先后任國際半導體和半絕緣材料、第7屆國際化學束外延、國際缺陷識別與成象物理會議等6個顧問委員會委員，中科院半導體材料科學實驗室主任，北大、清華等多個國家、部門開放實驗室學術(shù)委員會委員。第八屆北京市人民政府專家顧問團顧問，中國材料學會常務理事，中國電子學會高級會員。
半導體學報、人工晶體學報、材料導報等編委。1995年當選為中科院院士，現(xiàn)任技術(shù)學部常委。“973”重大基礎(chǔ)研究計劃“信息功能材料相關(guān)基礎(chǔ)問題”項目首席科學家。曾獲中科院自然科學一等獎，中科院科技進步一、二和三等獎，國家科技進步三等獎和國家重點科技攻關(guān)獎多項, 在國外重要學術(shù)刊物發(fā)表論文100多篇，被他人引用數(shù)百次。